为探究草酸青霉（Penicillium oxalicum） SL2处理环境中Cr （VI）污染的潜力，利用Gompertz模型分析盐度对SL2生长的影响，通过摇瓶试验研究盐度对SL2处理Cr （VI）的影响，并考察SL2清除实际电镀废水中Cr （VI）的能力.与未添加NaCl的对照组相比，在添加100 g/L NaCl的土豆培养基中生长的SL2菌斑最大直径和最大生长速率分别降低19.1%和57.8%，延滞时间增加110.1%，但SL2处理Cr （VI）的能力没有受到显著抑制.在实际电镀废水中，SL2能通过吸附累积和还原作用在6 d内清除102.2 mg/L的Cr （VI），每克菌丝体吸附累积铬元素9.09 mg，吸附累积量占电镀废水中铬元素总量的9.9%.研究表明，SL2具有处理高盐电镀废水中Cr （VI）污染的潜力，研究结果可为实际应用提供参考依据.

采用硝酸回流方式在碳纳米管表面构造缺陷及含氧官能团，处理后的碳纳米管在氯金酸溶液中超声震荡，经过氢气热还原将氧化态的金还原为0价态的金.扫描电子显微图片及红外吸收光谱表明酸处理成功地在碳纳米管管壁及端部构造了缺陷及羟基、羧基等含氧亲水官能团.形貌表征表明在碳纳米管管壁尤其是端部成功地掺杂了纳米粒子，并且X射线光电子谱表明该纳米粒子是0价态的金.掺杂后碳纳米管的拉曼光谱中G带波数增大说明对碳纳米管掺杂金为P型掺杂.采用介电电泳法分别将碳纳米管原样与掺金碳纳米管样品组装到金电极之间，掺杂使碳纳米管与金电极之间的接触电阻得到明显的降低，电阻值平均降幅高达69.20%.