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1. 2.4 GHz GaAs HBT高线性度功率放大器设计
张松,傅海鹏
浙江大学学报(工学版)    2024, 58 (7): 1524-1532.   DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2024.07.022
摘要   HTML PDF(pc) (2677KB)(333)   

为了满足Wi-Fi 6射频前端对高线性度、高发射功率的需求,基于GaAs HBT工艺设计工作于2.4~2.5 GHz的功率放大器. 利用有源自适应偏置、二次谐波阻抗控制和多级放大器失真互补实现所设计放大器的高线性输出功率,通过键合金线的高品质因子寄生电感降低输出匹配的插损,并将直流与射频功率检测集成. 测试结果表明,所设计放大器的小信号增益为30.6~30.7 dB,输入输出回波损耗均小于?10 dB,输出1 dB压缩功率为29.2 dBm,对应功率附加效率为26.4%. 在802.11ax标准、MCS7调制策略、40 MHz带宽的测试信号下,当误差矢量幅度小于?30 dB时,所设计放大器的最大输出功率为24.1 dBm. 在MCS9调制策略下,当误差矢量幅度小于?35 dB时,所设计放大器的最大输出功率为23.6 dBm;在MCS11调制策略下,当误差矢量幅度小于?40 dB时,所设计放大器的最大输出功率为22.4 dBm,对应最大功率附加效率为10.2%.

2. 基于28 nm RRAM的可重构真随机数发生器
宋长坤,郑彩萍,陈铖颖
浙江大学学报(工学版)    2024, 58 (7): 1516-1523.   DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2024.07.021
摘要   HTML PDF(pc) (1589KB)(152)   

基于阻变存储器(RRAM)电流饥饿型环形振荡器的真随机数发生器(TRNG)方案,提出交替读写的操作模式,优化熵源重构机制. 针对现有RRAM在多操作周期下跨导线性化问题,提出熵可配置电阻窗口钳位电路. 通过减小电阻窗口获得RRAM非线性的最大化,所提电路能够有效避免RRAM出现过度置位、过度复位的现象,保证熵源稳定性. 基于UMC 28 nm HKMG工艺对TRNG进行流片. 输出数据统计性测试结果通过了NIST SP800-22所有测试集的真随机数标准测试. 检测结果表明,在高斯分布的95%置信区间,所有统计数据的自相关函数值均落在?0.003~0.003,输出序列具有良好的随机性.

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