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浙江大学学报(工学版)
J4  2005, Vol. 39 Issue (11): 1824-1828    
论文     
CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的结构与性能研究
浙江大学 硅材料国家重点实验室，浙江 杭州 310027
 全文: PDF 
摘要：

采用化学气相沉积法（CVD）制备了Sb掺杂SnO2薄膜（ATO），研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响。利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征，XRD结果表明在基板温度为665 ℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜，XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在。讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响，结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8 Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势。最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性，认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因。
关键词： 化学气相沉积(CVD);  Sb掺杂SnO2薄膜;  掺杂量    
出版日期: 2005-11-20
基金资助:

国家“863”高技术研究发展计划资助项目（2001AA320202）
通讯作者: 韩高荣，男，教授，博导. E-mail: hgr@zju.edu.cn   
作者简介: 谢莲革(1979-)，男，浙江余姚人，硕士生，主要从事掺杂氧化物半导体薄膜研究. E-mail: xieliange@126.com
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引用本文:

谢莲革 沃银花 汪建勋 沈鸽 翁文剑 刘起英 韩高荣. CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的结构与性能研究[J]. J4, 2005, 39(11): 1824-1828.

XIE Lian-Ge, WO Yin-Hua, HONG Jian-Xun, CHEN Ge, WENG Wen-Jian, LIU Qi-Yang, HAN Gao-Rong. . J4, 2005, 39(11): 1824-1828.

链接本文:

http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/    或    http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/Y2005/V39/I11/1824

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