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浙江大学学报(工学版)
J4  2005, Vol. 39 Issue (11): 1816-1818    
论文     
离子辅助沉积对TiO2薄膜应力的影响
浙江大学 现代光学仪器国家重点实验室，浙江 杭州 310027
 全文: PDF 
摘要：

对在离子辅助沉积（IAD）和常规工艺条件下镀制的TiO2薄膜的应力进行了试验研究，并探讨了利用台阶仪测量镀膜前后基板表面曲率的方法。结果表明，当基板温度低于100 ℃时，在离子辅助沉积工艺条件下镀制的TiO2薄膜的应力略大于在常规工艺条件下镀制的薄膜的应力；随着薄膜厚度的增加，TiO2薄膜应力逐渐减小，从125 nm的392 MPa下降到488 nm的30 MPa；离子源阳极电压对薄膜应力影响较大，在100 V时薄膜应力为164 MPa，当电压升高到190 V时，应力下降到75 MPa。
关键词： TiO2薄膜;  离子辅助沉积;  应力    
出版日期: 2005-11-20
基金资助:

国家自然科学基金资助项目（60478301）
作者简介: 赵永江（1977-），男，浙江嵊州人，硕士，从事IAD技术对薄膜特性影响的研究. E-mail: zyjzju@hotmail.com
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赵永江
黄腾超
沈伟东
顾培夫
刘旭

引用本文:

赵永江 黄腾超 沈伟东 顾培夫 刘旭. 离子辅助沉积对TiO2薄膜应力的影响[J]. J4, 2005, 39(11): 1816-1818.

DIAO Yong-Jiang, HUANG Teng-Chao, CHEN Wei-Dong, GU Pei-Fu, LIU Xu. . J4, 2005, 39(11): 1816-1818.

链接本文:

http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/    或    http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/Y2005/V39/I11/1816

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