为了解决Si和普通玻璃进行直接键合时材料的热失配问题，提出了利用SiO2薄膜辅助进行硅玻璃热 键合（SGTB）的技术.通过分析SiO2薄膜辅助SGTB技术的化学物理过程，对键合过程中的工艺条件进行了 优化.利用反应离子束蚀刻（RIBE）对基片进行抛光，使得键合表面达到2 nm级的表面粗糙度.在大气的环 境下将处理过的玻璃、Si基片干燥，进行预键合.预键合好的Si、玻璃基片在200℃的氧化环境下退火，基 片之间的硅烷醇键发生聚合反应，形成硅氧键键合.实验结果表明，硅和玻璃基片的表面能经过预键合后 有了提高，水分子和Si表面SiO2中的氧原子交连在一起，OH-数量增加，形成硅烷醇键.Si表面热生长SiO2 薄膜的存在，减少了由Si、玻璃热膨胀系数和热传导系数差异引起的诱导应力.
国家自然科学基金资助项目(60077009)；国家教育部博士点基金资助项目.
黄腾超 沈亦兵 侯西云 娄迪 白剑. SiO2薄膜辅助硅玻璃热键合技术的研究[J]. J4, 2005, 39(9): 1310-1314.
HUANG Teng-Chao, CHEN Yi-Bing, HOU Xi-Yun, Lou-Di, BAI Jian. . J4, 2005, 39(9): 1310-1314.
http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/ 或 http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/Y2005/V39/I9/1310
Cited
