利用射频磁控溅射法结合后期热处理,在Si(100)基板上以不同的工艺条件成功制备了La0.5Ca 0.5MnxTi1-xO3(LCMTO)复铁电性磁电子薄膜.通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、电子衍射 能谱(EDS)等手段对薄膜进行了相的形成、结构特性及薄膜组成等的测试.研究表明,薄膜在600℃以上 开始析晶,850℃以上结晶完成,形成正交晶系钙钛矿相.硅基板上的LCMTO薄膜在不同温度下析出晶相的晶 格常数不同,温度越高,晶相的晶格常数越大;薄膜厚度越大,晶格常数相对较小;在薄膜制备时提高氧 分压,形成氧空位浓度低的完整晶相, Si基板上LCMTO薄膜的晶格常数相对较小.
教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20020335017);国家自然科学基金资助项 目(50372057;50332030).
杜丕一 孟津 周雪梅 翁文剑 韩高荣. 磁控溅射法La0.5Ca0.5MnxTi1-xO3薄膜的制备与结构研究[J]. J4, 2005, 39(7): 1077-1081.
DU Pi-Yi, MENG Jin, ZHOU Xue-Mei, WENG Wen-Jian, HAN Gao-Rong. . J4, 2005, 39(7): 1077-1081.
http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/ 或 http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/Y2005/V39/I7/1077
Cited