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浙江大学学报(工学版)
J4  2005, Vol. 39 Issue (4): 511-515    
论文     
利用磁致频移提高磁阻抗效应
方允樟（浙江师范大学 数理学院, 浙江 金华 321004）　
吴锋民（浙江大学 理学院，浙江 杭州 310028）　
郑金菊（浙江师范大学 数理学院, 浙江 金华 321004）
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摘要：

用4294A型阻抗分析仪研究Fe基纳米晶薄带（FNR）两种驱动模式(LC模式和L模式)的磁阻抗，发现LC模式阻抗频谱在外磁场作用下有显著的频移现象.利用这种频移现象，在选择LC模式的情况下，当驱动电流频率接近0磁场阻抗频谱峰频率时，磁阻抗比值达到2428，比L模式的028大得多;磁敏线性区间为0～1 669.5 A/m,比L模式的0～70 A/m扩大20多倍.该结果在实际应用中有利于提高FNR磁敏传感器的灵敏度和扩大磁敏线性区间；用原子力显微镜(AFM)观察FNR表面和经氢氟酸溶液腐蚀的FNR结构表明，FNR内部存在10~30 nm的晶粒被非晶成分胶联的结构，这是FNR在LC驱动模式下具有显著磁致频移现象的内在因素.
关键词： Fe基纳米晶;  频移;  磁阻抗;  介观结构    
出版日期: 2005-04-20
基金资助:

浙江省自然科学基金资助项目（602147）；教育部科学技术研究重点资助项目（204059）；浙江省青年科技人员专项基金资助项目（RC02069）；浙江省科技计划资助项目（2003C31007）.
作者简介: 方允樟（1963—），男，浙江金华人，高级工程师，主要从事非晶、纳米晶材料的研究.Email: fyz@zjnu.cn 通讯联系人： 吴锋民，男，教授，主要从事非晶、纳米晶材料的研究.Email:wfm@zjnu.cn
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方允樟
吴锋民
郑金菊

引用本文:

方允樟 吴锋民 郑金菊. 利用磁致频移提高磁阻抗效应[J]. J4, 2005, 39(4): 511-515.

FANG Yuan-Zhang, TUN Feng-Min, ZHENG Jin-Ju. . J4, 2005, 39(4): 511-515.

链接本文:

http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/    或    http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/Y2005/V39/I4/511

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