为了在微机电系统(microelectromechanical systems,MEMS)器件中进行热驱动，提出了设计微电阻作为热源的方法.电阻是通过微晶硼硅玻璃在硅基底上进行二次热扩散的方法制备的，利用硼离子扩散制作的电阻可以提高热源加热效率.通过数值计算，建立了制备过程中硅基底中的硼离子的空间浓度分布的理论模型，优化了二次硼扩散工艺条件.盘旋形的电阻形状设计提供了良好的温度控制和热量利用率，加热温度可以从室温一直加热至200℃.测量得到了电阻的有效结深及方块电阻，实验结果表明，电阻内部扩散区域的结深非常浅，硼离子掺杂浓度非常高，与理论模拟基本吻合.
国家自然科学基金资助项目(60077009)；国家教育部博士点基金资助项目（200033515）.
黄腾超 沈亦兵 侯西云. 二次硼离子热扩散制作微电阻[J]. J4, 2005, 39(4): 471-474.
HUANG Teng-Chao, CHEN Yi-Bing, HOU Xi-Yun. . J4, 2005, 39(4): 471-474.
http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/ 或 http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/Y2005/V39/I4/471
Cited
