采用阳极氧化法在p型轻掺硅片上制备多孔硅,研究了电解液配比、电流密度和反应时间对多孔硅发光性能的影响.实验研究发现多孔硅形貌随氢氟酸浓度而变化,电流密度、电化学腐蚀时间对多孔硅的发光均有影响.随着氢氟酸浓度和电流密度的增大,多孔硅的光致发光光谱强度先变大后减小;随反应时间的延长,多孔硅的光致发光光谱峰强度增强.氢氟酸浓度、电流密度和反应时间对傅立叶红外光谱中与Si-H、Si-H2键相关的振动峰具有明显影响,且与发光强度的变化相对应.结合多孔硅的成核理论、量子限制理论以及红外光谱中Si-H、Si-H2键红外振动峰的变化解释了上述现象.
国家杰出青年科学基金资助项目(60225010).
周成瑶 李东升 杨德仁 阙端麟. p型轻掺多孔硅的发光特性研究[J]. J4, 2005, 39(2): 301-305.
ZHOU Cheng-Yao, LI Dong-Sheng, YANG De-Ren, JUE Duan-Lin. . J4, 2005, 39(2): 301-305.
http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/ 或 http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/Y2005/V39/I2/301
Cited
