为了满足高性能的红外探测要求，以高品质硅基器件研制了选择性外延锗硅肖特基二极管.利用低温下锗硅材料在二氧化硅表面成核需要一定时间的特点, 采用超高真空化学气相沉积（UHV-CVD）技术，550 ℃下，在硅光刻窗口处，选择性生长了锗硅外延层.由此技术生长的锗硅材料制作了硅基肖特基二极管原型器件，并研究了该二极管器件的电流电压特性曲线.结果表明，与传统方法制备的非选择性外延锗硅肖特基二极管相比，该二极管器件可以避免在确定有源区后再经受高温处理,简化了器件制作工艺, 该二极管反向漏电流低2～3个数量级，具有优良的器件电学特性.
国家科技部攀登计划资助项目（981101040）;浙江省科技厅计划资助项目(991110535).
吴贵斌 叶志镇 赵星 刘国军 赵炳辉. 超高真空CVD选择性外延锗硅及其电学特性[J]. J4, 2006, 40(12): 2041-2043.
TUN Gui-Bin, XIE Zhi-Tian, DIAO Xing, LIU Guo-Jun, DIAO Bing-Hui. . J4, 2006, 40(12): 2041-2043.
http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/ 或 http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/Y2006/V40/I12/2041
Cited
