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浙江大学学报(工学版)
J4  2006, Vol. 40 Issue (9): 1587-1590    
论文     
纳米晶铜块体材料电化学腐蚀行为研究
罗伟，钱聪，吴希俊，严密(浙江大学 硅材料国家重点实验室, 浙江 杭州 310027)
 全文: PDF 
摘要：

 针对纳米晶（NC）单质金属材料的腐蚀特性，研究了块体纳米晶铜的耐蚀性能.利用电化学方法，结合XRD、EDS和SEM表面分析技术，比较分析了惰性气体沉积原位温压法（IGCWC）制备的块体纳米晶铜和多晶铜在0.1 mol/L CuSO4和0.05 mol/L H2SO4混合溶液中的腐蚀行为.结果表明，纳米晶铜的腐蚀呈均匀的表面溶解并伴随有不均匀的局部腐蚀，而多晶铜呈沿晶界均匀分布的晶界点蚀.纳米晶铜表面原子和晶界原子具有更高的表面活性，钝化能力大大提高，同时钝化膜的溶解速度加大.纳米试样制备过程中产生的微孔隙缺陷降低了纳米晶铜的耐蚀性.与多晶铜相比，纳米晶铜耐蚀性降低
关键词： 纳米晶铜;  腐蚀行为;  晶粒尺寸;  缺陷    
出版日期: 2006-09-20
基金资助:

高等学校博士学科点专项科研基金资助项目（2000033507）;航天支撑技术基金资助项目(2002-HT-ZJDX-06).
作者简介: 罗伟(1964－)，男，云南大理人，副教授，从事材料微结构研究.E-mail：hzlw6050@sina.com
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罗伟
钱聪
吴希俊
严密

引用本文:

罗伟 钱聪 吴希俊 严密. 纳米晶铜块体材料电化学腐蚀行为研究[J]. J4, 2006, 40(9): 1587-1590.

LUO Wei, JIAN Cong, TUN Xi-Dun, YAN Mi. . J4, 2006, 40(9): 1587-1590.

链接本文:

http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/    或    http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/Y2006/V40/I9/1587

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