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浙江大学学报(工学版)
J4  2006, Vol. 40 Issue (5): 772-776    
论文     
CMOS电路泄漏功耗估算与降低方法研究
陈志强，吴晓波，严晓浪(浙江大学 超大规模集成电路设计研究所，浙江 杭州 310027)
 全文: PDF 
摘要：

为了减小深亚微米互补金属氧化物半导体（CMOS）电路待机模式下的泄漏功耗，须寻找使电路泄
漏功耗最低的最小泄漏向量（MLV）.为此，提出了一种基于泄漏功耗库的线性规划功耗模型，并在此基
础上提出了基于改进的遗传算法搜索电路MLV的方法.线性规划模型根据电路泄漏功耗库中各个基本单元
的状态对应的泄漏功耗值，来估算整个门级电路的泄漏功耗.遗传算法利用线性规划模型作为评价函数，
通过对输入向量集进行自然选择、交叉、变异操作，搜索使电路泄漏功耗最低的MLV.仿真结果表明，搜
索到的MLV可以显著降低电路的泄漏功耗，而且易于实现，能够应用于超大规模集成电路泄漏功耗的估计
和降低.
关键词： 泄漏功耗估算;  最小泄漏向量;  遗传算法;  待机模式    
出版日期: 2006-05-25
基金资助:

国家自然科学基金资助项目（90207001）.
作者简介: 陈志强（1974－），男，陕西富平人，博士生，从事超大规模集成电路低功耗设计研究. E -mail: chenzq@vlsi.zju.edu.cn
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陈志强
吴晓波
严晓浪

引用本文:

陈志强 吴晓波 严晓浪. CMOS电路泄漏功耗估算与降低方法研究[J]. J4, 2006, 40(5): 772-776.

CHEN Zhi-Jiang, TUN Xiao-Bei, YAN Xiao-Lang. . J4, 2006, 40(5): 772-776.

链接本文:

http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/    或    http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/Y2006/V40/I5/772

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