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J4  2007, Vol. 41 Issue (6): 950-954    
论文     
带有温度补偿的高稳定性低压差线性稳压器
浙江大学 超大规模集成电路研究所,浙江 杭州 310027
 全文: PDF 
摘要:

采用高温漏电流补偿技术设计了一种工作于-40~130 ℃的高稳定性低压差(LDO)线性稳压器.通过设计一种新型的动态米勒频率补偿结构,使LDO电路的稳定性与负载电流无关,达到了高稳定性设计要求.芯片设计基于CSMC公司的0.5 μm互补金属氧化物半导体(CMOS)混合信号模型,并通过了芯片测试验证.仿真与测试结果表明,该稳压器的输出电压温度漂移系数为2×10-5/℃,负载瞬态响应的建立时间小于50 μs,输出电压跳变小于50 mV.电源抑制比在1 kHz时为-50 dB.当输出电流为150 mA时,其输入输出压差的典型值为170 mV.

关键词: 低压差稳压器温度补偿频率补偿负载瞬态响应    
出版日期: 2007-06-05
通讯作者: 何乐年,男,教授,博导. E-mail: helenian@vlsi.zju.edu.cn   
作者简介: 陈东坡(1980-),男,四川绵阳人,博士生,主要从事电源管理和数模混合集成电路的研究. E-mail: chendp@vlsi.zju.edu.cn
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陈东坡
何乐年
严晓浪

引用本文:

陈东坡 何乐年 严晓浪. 带有温度补偿的高稳定性低压差线性稳压器[J]. J4, 2007, 41(6): 950-954.

CHEN Dong-Po, HE Le-Nian, YAN Xiao-Lang. . J4, 2007, 41(6): 950-954.

链接本文:

http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/        http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/Y2007/V41/I6/950

[1] 巩文超 王忆 崔传荣 王义凯 何乐年. 新型高电源抑制比CMOS电流基准[J]. J4, 2008, 42(9): 1580-1586.
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