采用高温漏电流补偿技术设计了一种工作于-40~130 ℃的高稳定性低压差(LDO)线性稳压器.通过设计一种新型的动态米勒频率补偿结构,使LDO电路的稳定性与负载电流无关,达到了高稳定性设计要求.芯片设计基于CSMC公司的0.5 μm互补金属氧化物半导体(CMOS)混合信号模型,并通过了芯片测试验证.仿真与测试结果表明,该稳压器的输出电压温度漂移系数为2×10-5/℃,负载瞬态响应的建立时间小于50 μs,输出电压跳变小于50 mV.电源抑制比在1 kHz时为-50 dB.当输出电流为150 mA时,其输入输出压差的典型值为170 mV.
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http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/ 或 http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/Y2007/V41/I6/950
Cited