介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理，提出了一种与2.0 μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV pMOS器件和薄栅氧HV nVDMOS器件，开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺可以节省三个光刻版、两次注入（HV N阱和PDA）和一次氧化工艺，有效地降低工艺复杂度和生产成本.最终流片和测试结果表明，HV nVDMOS和HV pMOS管的耐压均超过165 V，达到系统设计要求.当电源电压为90 V、负载为200 pF时,PDP扫描驱动芯片的上升沿和下降沿时间分别为165和30 ns，这充分验证了芯片具有很强的驱动电流能力
浙江省科技计划资助项目（2004C31094）.
洪慧 韩雁 叶晓伟. 应用于等离子显示驱动的高压集成电路工艺[J]. J4, 2008, 42(10): 1715-1718.
HONG Hui, HAN Yan, XIE Xiao-Wei. . J4, 2008, 42(10): 1715-1718.
http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/ 或 http://www.zjujournals.com/xueshu/eng/CN/Y2008/V42/I10/1715
Cited
