氧化铝增强的PdSe2/Si异质结光电探测器

贺亦菲,杨德仁,皮孝东

Enhanced PdSe2/Si heterojunction photodetector by Al2O3 layer

Yi-fei HE,De-ren YANG,Xiao-dong PI

表 1 PdSe2/Al2O3/Si器件与其他二维层状材料探测器的主要性能参数对比

Tab.1 Comparison of key parameters of our device with other reported photodetectors based on two dimensional materials devices

器件 ION/OFF R/(A·W−1) D*/Jones λ/nm trise, tfall/μs V/V 参考文献 Gr/Si 104 0.435 ~108 850 1200,3000 −2 [1] Gr/Ge 104 0.0518 ~1010 1550 23,108 0 [2] MoS2 104 0.57 ~1010 532 70,110 −10 [8] MoS2 103 5.07 ~1010 500 1×105 1.5 [9] WS2 — 7.3 ~1012 500 5000,7000 1 [10] PdSe2 — 161.9 ~1010 655 2×108 — [20] PdSe2/Si 105 0.3 ~1013 780 38,44 0 [26] PdSe2 — — — 1.06 156,163 — [25] Gr/AlN/Si — 3.96 — 850 — −10 [27] Si/Al2O3/ZnO — 0.41 ~1012 940 15 0 [28] Gr/Al2O3/GaAs — 0.12 ~1011 808 8.16,98.43 0 [29] Gr/hBN/Si 107 — ~1010 725 910,1080 −0.03 [30] PdSe2/Al2O3/Si 105 0.31 ~1012 808 7.1,15.6 −2 本文工作 PdSe2/Al2O3/Si 105 0.29 ~1013 808 7.1,15.6 0 本文工作