基于双电压和倍频技术的低功耗高效率发射机

崔梦倩,宗培胜,魏国,王科平

Low-power and high-efficiency transmitter based on dual-supply voltage and frequency multiplication technique

Meng-qian CUI,Pei-sheng ZONG,Guo WEI,Ke-ping WANG

表 1 低功耗发射机的主要性能对比

Tab.1 Main performance comparison of low power transmitters

方法 工艺库 f/MHz 系统架构 S/mm2 VDD/V 调制方式 P/dBm Pdis/μW η/% 文献[5]方法 0.13 μm 400 延迟锁相环+边沿合成 2.5 1 FSK −16 400 6.28 文献[8]方法 0.13 μm 400 注入锁定环形振荡器+ 边沿合成 0.04 1 FSK −17 90 22 文献[9]方法 0.13 μm 915 模拟锁相环+功率放大器 0.29 1.2 FSK/OOK −18.6 367/314 3.76/4.40 文献[11]方法 65 nm 915 注入锁定环形振荡器+ 功率放大器 0.038 0.8 8PSK/OPSK −15 938 3.37 文献[12]方法 0.18 μm 315 谐波注入锁定+电容耦合倍频 0.455 7 0.8+0.2 OOK −21.3 145 5.11 文献[13]方法 0.18 μm 432 双注入锁定环形振荡器+边沿合成 NA 1 16−QAM/MSK −15 468 5.37 文献[14]方法 0.18 μm 400 双环形振荡器+边沿合成 0.06 0.8+0.2 BPSK −15 330 9.58 文献[23]方法 65 nm 430/915 注入锁定环形振荡器+ 边沿合成 1.3 0.5 16−QAM/FSK −10/−8.1 NA 15.9/23.7 文献[24]方法 0.18 μm 915 谐波注入锁定环形振荡器+边沿合成 0.041 3 NA OOK −14 200.9 19.82 文献[25]方法 22 nm 400 无源多相滤波器+ 边沿合成 0.03 0.4+0.2 BPSK −17.5 67 27 本文方法 55 nm 433 注入锁定环形振荡器+ 边沿合成 0.007 0.6+1.2 FSK −9.7 357 29.83