0~21 GHz高精度宽带硅基数字衰减器设计

刘美杉,张为,郝东宁

Design of 0~21 GHz wideband silicon-based digital attenuator with high accuracy

Mei-shan LIU,Wei ZHANG,Dong-ning HAO

表 2 电容补偿结构衰减器关键性能对比

Tab.2 Key performance comparison of capacitor compensation structure digital step attenuator

设计结构 D/μm f/GHz RA/dB SA/dB IL/dB RL/dB RMSA'/dB RMSθ/（°） IP1dB/dBm S/mm2 *为核心电路面积 文献[5] 0.130 0~20 0~31.50 0.5 1.7-7.2 <−12 0.37 <4.0 10 0.14*（1.00×0.14） 文献[6] 0.350 14~18 0~31.50 0.5 8±0.6 <−10 0.29 <3.9 >10 0.27*（0.80×0.34） 文献[8] 0.180 3~22 0~31.00 1 5.53~13.07 <−11 0.53 <6.3 18.4 — 文献[10] 0.130 3~13 0~31.75 0.25 <6.6 <−9 0.17 <2.8 16.8 1.57（1.59×0.79） 文献[19] 0.065 8~18 0~31.50 0.5 6.1~8.6 <−10 0.1 <5.5 12 0.273*（0.91×0.3） 文献[20] 0.180 0~18 0~31.50 0.5 2.9~6.1 <−11 0.39 <2.4 — — 本文 0.180 0~21 0~31.50 0.5 4~11.05 <−8.35 0.23 <4.38 17.3 0.172*（0.86×0.02）