0~21 GHz高精度宽带硅基数字衰减器设计
刘美杉,张为,郝东宁
Design of 0~21 GHz wideband silicon-based digital attenuator with high accuracy
Mei-shan LIU,Wei ZHANG,Dong-ning HAO
表 1
4 dB桥T衰减单元器件参数
Tab.1
Device parameters of 4 dB bridge-T attenuation unit
参数
单位
数值
参数
单位
数值
R
1
Ω
44.00
R
M1,on
Ω
9.84
R
2
Ω
38.00
C
M1,off
fF
43.36
R
3
Ω
56.00
R
M2,on
Ω
23.00
Z
0
Ω
50.00
C
M2,off
fF
20.66