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浙江大学学报(理学版)  2018, Vol. 45 Issue (4): 429-435    DOI: 10.3785/j.issn.1008-9497.2018.04.010
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Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体的第一性原理研究
张云丽1, 朱自强1, 李晓川1, 刘奎立1, 巫洪章2, 周小东3
1. 周口师范学院 物理与电信工程学院, 河南 周口 466001;
2. 周口师范学院 稀土功能材料及应用实验室, 河南 周口 466001;
3. 周口师范学院 机械与电气工程学院, 河南 周口 466001
The study of Cr doped LiZnAs diluted semiconductor based on the first-principles
ZHANG Yunli1, ZHU Ziqiang1, LI Xiaochuan1, LIU Kuili1, WU Hongzhang2, ZHOU Xiaodong3
1. School of Physics and Telecommunication Engineering, Zhoukou Normal University, Zhoukou 466001, Henan Province, China;
2. The Key Laboratory of Rare Earth Functional Materials and Applications, Zhoukou Normal University, Zhoukou 466001, Henan Province, China;
3. School of Mechanical and Electrical Engineering, Zhoukou Normal University, Zhoukou 466001, Henan Province, China
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