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浙江大学学报（理学版）
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化学     
CO在Si(100)表面生长的光电子谱研究
浙江大学分析测试中心，杭州职业技术学院，浙江大学分析测试中心
Analysis of the growth mechanisms of CO /Si(100)- ( 2×1) interface by UPS.
 全文: PDF(115 KB)   HTML ( ) 
摘要： 本文着重介绍了 CO /Si( 100)界面 CO原子与表面 Si原子的相互作用. 在不同覆盖度或经不同退火温度处理, CO, Si原子之间存在不同的相互作用. 当覆盖度为 10ML时经 350℃退火处理后, Si( 100)表面将形成 COSi2 处延.
关键词： 扩散;  处延;  光电子谱    
Abstract: The growth mechanisms of CO /Si(100) - ( 2×1)interface were studied by UPS. At room temperature, when the coverage of Co film less than 0. 4M L, the Co atom will react with Si atom in the Si( 100)surface, when the coverage of Co atom larger then 1. 8ML,the Co atom will grow layer by lay-er. When@ > 4M L, Si atom enteres into Co film and reactes with Co atoms after being annealed. At 350℃, CoSi2is formed. When the temperature up to 500℃, CoSi2 will be covered by Si atoms.
Key words: diffusion    epitaxy    XPS
出版日期: 2010-06-02
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鲍德松
沈海娟
张训生

引用本文:

鲍德松，沈海娟，张训生. CO在Si(100)表面生长的光电子谱研究[J]. 浙江大学学报（理学版）, .

BAO De-song，SHEN Hai-juan，ZHANG Xun-sheng . Analysis of the growth mechanisms of CO /Si(100)- ( 2×1) interface by UPS.. Journal of ZheJIang University(Science Edition), .

链接本文:

http://www.zjujournals.com/sci/CN/    或    http://www.zjujournals.com/sci/CN/Y2000/V27/I6/605

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