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浙江大学学报（理学版）
浙江大学学报（理学版）  2015, Vol. 42 Issue (4): 440-444    DOI: 10.3785/j.issn.1008-9497.2015.04.012
化学     
垂直有序介孔二氧化硅的离子选择渗透性研究
Ion permselectivity investigation of vertically oriented and ordered silica mesochannels
 全文: PDF(1796 KB)   HTML ( ) 
摘要： 采用Stber溶液生长法,在氧化铟锡(ITO)导电基底上合成了孔道高度有序且垂直于基底的介孔二氧化硅薄膜(Mesoporous silica film, MSF),其孔径约为2.3nm.利用循环伏安法探究了MSF孔道对带不同电荷的探针分子的选择渗透性;此外,利用纳米通道的尺寸效应和电荷效应,研究了溶液的离子强度对MSF孔道选择渗透性的影响,设计了具有“开/关”效应的智能响应界面.
出版日期: 2015-04-28
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王巧红
李婉珍
苏 彬

引用本文:

王巧红, 李婉珍, 苏 彬. 垂直有序介孔二氧化硅的离子选择渗透性研究[J]. 浙江大学学报（理学版）, 2015, 42(4): 440-444.

链接本文:

https://www.zjujournals.com/sci/CN/Y2015/V42/I4/440

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