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浙江大学学报（理学版）
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电子科学     
电场增强载流子的产生研究
A Study of Field一Enhanced Carrier Generationin Pulsed MOS Capacitors
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摘要： 本文研究了脉冲MOS电容器中的电场增强载流子产生.深能级中心的载流子发射几率对电场的依赖性采用Poole-Freakel模型.我们得出了产生电流密度与产生宽度之间的一般手系.通过选择合适的参数，可以使理论结果与实验测量之间在整个测量范围内相当好地符合.关于温度对电场增强载流子产生特性的理论预言也被实验结果所证实.
出版日期: 2017-05-15
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张秀森
丁扣宝

引用本文:

张秀森;丁扣宝. 电场增强载流子的产生研究[J]. 浙江大学学报（理学版）, .

Zhang Xiumiao;Ding Koubao. A Study of Field一Enhanced Carrier Generationin Pulsed MOS Capacitors. Journal of ZheJIang University(Science Edition), .

链接本文:

http://www.zjujournals.com/sci/CN/    或    http://www.zjujournals.com/sci/CN/Y1993/V20/I1/53

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