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浙江大学学报（理学版）
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电子电路学     
多值nmos基本单元电路分析
An Analysis of Multivalued nMOS一 Basic Circuit Units
 全文: PDF(366 KB)   HTML ( ) 
摘要： 本文根据nMOS晶体管的物理特性，对构成多值nMOS电路的基本单元一一二值反相器，源极跟随器和分压器等形式电路进行了较细致的分析，并用SPICE I模拟给出了各种曲绒.对多值nMOS电路中阂值检测所采用的两种方法，即改变几何比和多阂值法进行比较的结果表明:多闽值法具有更好的转移特性.
出版日期: 2017-05-15
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赵小杰
吴训威

引用本文:

赵小杰;吴训威. 多值nmos基本单元电路分析[J]. 浙江大学学报（理学版）, .

Zhao Xiaojie ;Wu Xunwei. An Analysis of Multivalued nMOS一 Basic Circuit Units. Journal of ZheJIang University(Science Edition), .

链接本文:

http://www.zjujournals.com/sci/CN/    或    http://www.zjujournals.com/sci/CN/Y1993/V20/I1/36

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