Please wait a minute...
浙江大学学报（理学版）
浙江大学学报（理学版）
物理学     
硅MIS/IL太阳电池反型层 薄层电阻的精确算法
An Exact Method to Calculate the SheetResistance of Inversion Layer in Silicon MIS/IL ,Solar Cells
 全文: PDF(266 KB)  
摘要： 本文提出了一种直接求解泊松方程计算MIS/IL太阳电池的反型层薄层电阻的方法.这种方法既不采用耗尽近似，也不忽略反型电荷对电势的影响，因而它是精确的.文中通过计算实例比较了这种精确算法与耗尽近似计算方法的结果，并进行了讨论
出版日期: 2017-05-15
服务　　
把本文推荐给朋友
加入引用管理器
E-mail Alert
RSS
作者相关文章　　
张秀淼

引用本文:

张秀淼. 硅MIS/IL太阳电池反型层 薄层电阻的精确算法[J]. 浙江大学学报（理学版）, .

Zhang Xiumiao. An Exact Method to Calculate the SheetResistance of Inversion Layer in Silicon MIS/IL ,Solar Cells. Journal of Zhejiang University (Science Edition), .

链接本文:

https://www.zjujournals.com/sci/CN/    或    https://www.zjujournals.com/sci/CN/Y1991/V18/I1/42

No related articles found!