线性电压扫描 MOS 电容 C-t 瞬态中的非稳态体产生效应

1984, Vol. 11

Issue (1): 61-67

物理学

The Effect of Non -Steady -State Bulk-Generation on the Transient Response of MOS-C to Linear Voltage Sweep

全文: PDF(357 KB)

HTML ( )

摘要： 水文应用非稳态产生-复合统计理论，研究了线性扫描下MOS 电容的C-t瞬态，得到了稳态产生复合统计理论可近似用于分析 C-t瞬态的条件．结果表明，对于含有位于禁带中部的高浓度陷阱的低掺杂样品，非稳态体产生效应有显著影响，陷阱能级偏离禁带中部或降低测试温度可减弱这一效应的影响．

出版日期: 2017-05-24

张秀森. 线性电压扫描 MOS 电容 C-t 瞬态中的非稳态体产生效应 [J]. 浙江大学学报（理学版）, 1984, 11(1): 61-67.

No related articles found!

Viewed

Full text

Abstract

Cited

Shared

Discussed