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浙江大学学报(理学版)  2014, Vol. 41 Issue (2): 168-174    DOI: 10.3785/j.issn.1008-9497.2014.02.010
化学     
锌修饰三氧化钨薄膜光电极的制备及其光电化学性能
Preparation of tungsten oxide modified with Zn(Ⅱ) thin film photoelectrode and photoelectrochemical performace
 全文: PDF(2968 KB)   HTML (
摘要: 采用简单的阴极电沉积-浸渍法,在空气中经450 ℃热处理3 h后,制备得到Zn(Ⅱ)修饰三氧化钨(WO3)薄膜光电极.根据X-射线粉末衍射(XRD)、拉曼(Raman)光谱、场发射扫描电镜(FE-SEM)、紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱和荧光发射光谱(PL)等表征技术,分析了Zn(Ⅱ)的含量对WO3薄膜光电极的结构、形貌和光学性能的影响.通过在0.2 M的Na2SO4溶液、外加电压为0.8 V条件下的光电流测试表明,当Zn(Ⅱ)的相对原子比为9.99%时其光电性能最好,光电流值是纯WO3电极的3.5倍;外加电压为0.8 V下的光电催化降解孔雀绿(MG)测试实验结果表明,其光电催化活性是纯WO3的2倍.Raman光谱表明一部分Zn(Ⅱ)以ZnO的形式附着在WO3的表面.附着在WO3表面上的ZnO对WO3所产生的光生电子空穴对起到了有效分离的作用,使WO3的光电化学性能和光电催化活性得以提高.
收稿日期: 2013-01-28 出版日期: 2014-02-01
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引用本文:

刘丽英, 刘润, 徐铸德. 锌修饰三氧化钨薄膜光电极的制备及其光电化学性能[J]. 浙江大学学报(理学版), 2014, 41(2): 168-174.

LIU Li-Ying, LIU Run, XU Zhu-De. Preparation of tungsten oxide modified with Zn(Ⅱ) thin film photoelectrode and photoelectrochemical performace. Journal of ZheJIang University(Science Edition), 2014, 41(2): 168-174.

链接本文:

https://www.zjujournals.com/sci/CN/10.3785/j.issn.1008-9497.2014.02.010        https://www.zjujournals.com/sci/CN/Y2014/V41/I2/168

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